基于载流子选择性接触的N型晶硅电池钝化特性研究

作     者：张天杰 刘大伟 倪玉凤 杨露 魏凯峰 宋志成 林涛 ZHANG Tianjie;LIU Dawei;NI Yufeng;YANG Lu;WEI Kaifeng;SONG Zhicheng;LIN Tao

作者机构：国家电投集团西安太阳能电力有限公司西安710100 西安理工大学电子工程系西安710048 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2020年第49卷第9期

页      码：1631-1635,1645页

摘      要：为了研究载流子选择性接触结构在N型晶硅电池钝化特性,本文设计了专门的材料结构。分析对比了不同掺杂浓度分布的材料结构在退火后、沉积SiN x∶H薄膜后及烧结后隐开路电压值的变化,并对其钝化机理进行了分析。研究结果表明隐开路电压值对掺杂浓度分布非常敏感。随着掺杂浓度分布进入硅基体的“穿透”深度增加,相对应地退火后、SiN x∶H薄膜沉积后及烧结后隐开路电压值均呈现先增加后减小的趋势,且样片沉积SiN x∶H薄膜后隐开路电压的增加幅度也逐渐减小,而样片烧结后隐开路电压值又出现不同幅度的下降,且隐开路电压值的下降幅度逐渐减小。通过适当的掺杂工艺,可以使得烧结后的隐开路电压均值达到738 mV。

主 题 词：晶硅电池 N型 载流子选择接触 氢钝化 掺杂浓度分布 

学科分类：0817[工学-轻工类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2020.09.008

馆 藏 号：203985679...