一种低损耗硅基MZ电光调制器的驱动电极设计

作     者：刘永超 纪鹏飞 何卫锋 LIU Yong-chao;JI peng-fei;HE Wei-feng

作者机构：上海交通大学微纳电子学系上海266240 

基　　金：国家重点研究与发展计划(2016YFB200205) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2020年第37卷第10期

页      码：13-17页

摘      要：为了满足高数据带宽的硅光互联应用要求,高速硅光调制器的设计至关重要.本文基于IMEC的硅光子SOI工艺,提出了一种低损耗高带宽的行波MZ调制器的驱动电极.在详细分析了趋肤效应、行波损耗、邻近效应等物理效应对行波电极信号完整性的影响的基础上,通过在行波电极上增加一定宽度的顶层金属的方法,使MZ调制器的低频损耗降低了13%,高频损耗降低了5%,并使电光调制3 dB带宽提高至28 GHz.

主 题 词：电光调制器 高速行波电极 趋肤效应 损耗 

学科分类：082403[082403] 08[工学] 0824[工学-林业工程类] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2020.10.003

馆 藏 号：203986093...