MOS器件开启电压值的贝叶斯统计推断

作     者：严利人 刘道广 刘志弘 梁仁荣 YAN Liren;LIU Daoguang;LIU Zhihong;LIANG Renrong

作者机构：清华大学微电子学研究所北京100084 清华大学核能技术研究院北京100084 

基　　金：广东省重点领域研发计划项目(2019B010143002) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2020年第50卷第5期

页      码：659-663页

摘      要：在实践中准确地测定和表征出MOS器件样管的开启电压,对于大规模集成电路的设计以及将MOS器件作为分立器件的在电路应用,均是至关重要的。文章采用贝叶斯统计推断工具用于器件输入曲线的处理,从中提取出与器件开启有关的更为精准和深入的信息。建立合适的分层模型,应用基于马尔科夫链蒙特卡罗(MCMC)算法的最大后验估计(MAP),求取目标量的后验分布。这类算法为目前概率与统计领域的最高级算法。将该先进算法引入到IC领域来分析处理所获取的大数据是后摩尔时代的一个发展方向。

主 题 词：贝叶斯统计推断 开启电压 最大后验估计 后验分布 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.200269

馆 藏 号：203986169...