0.1~6 GHz高线性度低功耗InGaP/GaAs HBT射频放大器

作     者：张博 李力阳 ZHANG Bo;LI Liyang

作者机构：西安邮电大学电子工程学院陕西西安710121 

基　　金：西安市集成电路重大专项(201809174CY3JC16) 陕西省软科学研究计划(2019KRM168) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2020年第39卷第10期

页      码：59-64页

摘      要：基于2μm InGaP/GaAs HBT(磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管)工艺设计了一款单片微波集成电路射频放大器芯片。针对达林顿结构射频放大器线性度低的问题,通过设计自适应线性化偏置电路,提高了线性度,降低了功耗,同时增大放大管的尺寸,提高了电路的总输出功率。仿真结果表明,在带内最大增益达到20 dB,增益平坦度为±1.2 dB,放大器的OIP3为34.5 dBm,射频放大器的P-1dB为15 dBm,输入回波损耗为11.3 dB,输出回波损耗为11.5 dB,版图的尺寸为0.4 mm×0.55 mm。

主 题 词：达林顿结构 砷化镓 自适应偏置 线性度 射频芯片 射频放大器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0427

馆 藏 号：203986217...