碳化硅改性电极制备及在六价铬还原过程中的作用

作     者：高健 权昆 陈振 胡璟璐 章哲 万春香 马伟 GAO Jian;QUAN Kun;CHEN Zhen;HU Jing-lu;ZHANG Zhe;WAN Chun-xiang;MA Wei

作者机构：大连理工大学化工学院辽宁大连116024 杭州华成设计研究院有限公司浙江杭州311000 

基　　金：国家自然科学基金(21677027) 国家自然科学基金-新疆联合基金(U1403194) 

出 版 物：《有色矿冶》 (Non-Ferrous Mining and Metallurgy)

年 卷 期：2020年第36卷第5期

页      码：31-35页

摘      要：六价铬毒性很强,含六价铬的工业废水严重危害人类健康。制备了一种掺杂碳化硅的碳钛网电极,通过扫描电镜、氮气物理吸脱附与循环伏安法对其进行表征,并将其用于模拟六价铬废水电还原。结果表明,掺杂碳化硅使电极的比表面积和孔体积分别增加了4.5%和10.9%。较低的pH值有利于电还原,当pH值为1.5和电压为2.5V时,浓度为40ppm的六价铬溶液可以在45min内被完全还原。循环伏安曲线表明电极在表面双电层与赝电容共同作用下将六价铬还原为三价铬,碳化硅的掺杂增加了电极的电化学活性。对于实际生产中六价铬工业废水的电还原解毒有一定指导意义。

主 题 词：钛网 SiC 碳电极 Cr(Ⅵ) 电还原 

学科分类：08[工学] 0806[工学-电气类] 080601[080601] 

馆 藏 号：203986322...