抑制4H-SiC功率器件双极型退化的复合提高层设计

作     者：杨安丽 温正欣 宋华平 张新河 YANG An-li;WEN Zheng-xin;SONG Hua-ping;Zhang Xin-he

作者机构：深圳第三代半导体研究院功率器件所广东深圳518110 松山湖材料实验室SiC及相关材料团队广东东莞523808 

基　　金：广东省第三代半导体技术创新中心(2019B090-918006) 广东省重点领域研发计划(2019B010127001) 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2020年第54卷第10期

页      码：75-76,79页

摘      要："双极型退化"是目前影响4H-碳化硅(SiC)双极型器件稳定工作的重要问题。针对此现象,以万伏级的超高压PiN二极管为例,详细介绍在衬底与外延层之间如何设计合适的"复合提高层"以抑制双极型退化。研究了器件工作电流密度和"复合提高层"少子寿命对设计"复合提高层"的影响。结果表明,在一定的工作电流密度下,"复合提高层"少子寿命越短,所需"复合提高层"厚度越薄。

主 题 词：碳化硅 功率器件 双极型退化 复合提高层 

学科分类：081702[081702] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 

馆 藏 号：203986352...