准二维范德瓦耳斯磁性半导体CrSiTe3的THz光谱

作     者：索鹏 夏威 张文杰 朱晓青 国家嘉 傅吉波 林贤 郭艳峰 马国宏 Suo Peng;Xia Wei;Zhang Wen-Jie;Zhu Xiao-Qing;Guo Jia-Jia;Fu Ji-Bo;Lin Xian;Guo Yan-Feng;Ma Guo-Hong

作者机构：上海大学物理系上海200444 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 上海科技大学-上海光机所超强超快联合实验室上海201210 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2020年第69卷第20期

页      码：96-104页

摘      要：准二维范德瓦耳斯磁性材料CrSiTe3同时具有本征磁性与半导体能带结构,在光电子学和纳米自旋电子学领域中具有广泛的应用,近年来吸引了广大科研工作者的兴趣.利用超快太赫兹光谱技术,本文对准二维范德瓦耳斯铁磁半导体CrSiTe3进行了系统的研究,包括太赫兹时域光谱,光抽运-太赫兹探测光谱及太赫兹发射光谱.实验结果表明,样品的太赫兹电导率随温度的变化表现得十分稳定,且样品ab面对太赫兹波的响应呈现为各向同性;800 nm光抽运后的光生载流子表现为一种双指数形式的弛豫变化,复光电导率可以用Drude-Smith模型很好地拟合,光载流子的弛豫过程由电子-空穴对的复合所主导;飞秒脉冲入射到样品表面后可以产生太赫兹辐射,且具有0—2 THz的带宽.本文给出了CrSiTe3在光学及太赫兹波段的光谱,为其在电子及光电子器件方面的设计和优化提供了借鉴与参考.

主 题 词：范德瓦耳斯铁磁半导体 太赫兹光谱 时间分辨光谱 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.69.20200682

馆 藏 号：203986565...