SiC光触发晶闸管的研制与特性分析

作     者：王曦 蒲红斌 陈春兰 陈治明 WANG Xiu;PU Hong-bin;CHEN Chun-lan;CHEN Zhi-ming

作者机构：西安理工大学陕西西安710048 西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室陕西西安710048 

基　　金：国家自然科学基金(51677149) 陕西省自然科学基础研究计划(2020JQ-636) 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2020年第54卷第10期

页      码：36-38页

摘      要：碳化硅(SiC)光触发晶闸管(LTT)在工业和国防领域均具有重要的应用价值。在此通过理论设计与实验研究相结合的方法,对4H-SiC LTT进行了研制。所研制SiC LTT为p型长基区结构,长基区厚度为80μm,杂质浓度为2×10^(14)cm^(-3)。为改善阳极发射结空穴注入效率低的问题,短基区设计为双层结构,其中上层轻掺杂层厚度为0.3μm、下层厚度为1.7μm。测试结果显示,所研制SiC LTT正向开启电压为3.1 V,通态压降为4.39 V,比导通电阻约为87.8 mΩ·cm^2;在100 mW/cm^2,365 nm紫外(UV)光触发下,开通延迟时间约为14.9μs,阳极电压下降时间为100 ns,阳极电流上升时间约为11.5μs。

主 题 词：晶闸管 碳化硅 光触发 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203986651...