一种用于逆变器的SiC MOSFET自适应电流源驱动

作     者：朱津仪 王勤 伍群芳 ZHU Jin-yi;WANG Qin;WU Qun-fang

作者机构：南京航空航天大学自动化学院江苏南京211106 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2020年第54卷第10期

页      码：5-9页

摘      要：在传统电压型SiC MOSFET驱动电路中,驱动损耗、功率管开关损耗随着主电路开关频率、电压等级的提高而增大,驱动参数固定条件下,损耗不能得到优化。针对此问题,提出了一种应用于DC/AC逆变器的SiC MOSFET自适应电流源型驱动(CSD)电路,驱动电流可随负载电流自适应变化。以一个半桥逆变器为例,阐述了控制原理,详细分析了恒流驱动下功率管的开关特性,根据SiC MOSFET的驱动要求,以一个开关周期内损耗最小为原则设计了自适电流源驱动电路。最后通过实验验证了所提方法的有效性。

主 题 词：逆变器 自适应电流源 驱动电路 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

馆 藏 号：203986736...