一种SiC MOSFET快速短路保护电路研究

作     者：卢乙 李先允 倪喜军 王书征 LU Yi;LI Xian-yun;NI Xi-jun;WANG Shu-zheng

作者机构：南京工程学院江苏南京211167 

基　　金：江苏省重点研发计划(BE2018130) 江苏省普通高校研究生科研创新计划(SJCX19-0527) 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2020年第54卷第10期

页      码：57-59页

摘      要：碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有工作频率高、耐温高、临界击穿场强高和寄生参数小等特点,广泛应用于高功率密度和高开关频率场合。首先总结分析了各种短路过流检测方法,然后基于分流器检测法设计了一款SiC MOSFET短路保护电路,最后简要分析其工作原理,并进行实验验证。实验结果表明,所设计的SiC MOSFET短路保护电路,能在发生短路的1μs内完成保护动作,确保器件的安全运行。

主 题 词：金属氧化物半导体场效应晶体管 过流检测 短路保护 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203986976...