高性能CMOS运算放大器的设计

作     者：王好德 王永顺 史琳 荆丽 赵文浩 WANG Haode;WANG Yongshun;SHI Lin;JING Li;ZHAO Wenhao

作者机构：兰州交通大学电子与信息工程学院兰州730070 

基　　金：甘肃省科技支撑计划项目(097GKCA052) 兰州市科技发展计划项目(2009-1-1) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2011年第41卷第1期

页      码：19-22页

摘      要：基于0.5μm标准CMOS工艺,利用折叠式共源共栅电路和简单放大器级联结构,设计了一种增益高、建立时间短、稳定性好和电源抑制比高的低压CMOS运算放大器。用CadenceSpectre对电路进行优化设计,整个电路在3.3 V工作电压下进行仿真,其直流开环增益100.1dB,相位裕度59°,单位增益带宽10.1 MHz,建立时间1.06μs。版图面积为410μm×360μm。测试结果验证了该运算放大器电路适用于电源管理芯片。

主 题 词：运算放大器 折叠式共源共栅 模拟集成电路 CMOS 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 

馆 藏 号：203987488...