表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子和量子效应的影响研究

作     者：郝立超 段俊丽 Hao Li-Chao;Duan Jun-Li

作者机构：同济大学物理学院上海200092 上海交通大学医学院附属新华医院上海200240 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2010年第59卷第4期

页      码：2746-2752页

摘      要：研究了GaN基HEMT器件表面电荷和体陷阱的变化对输出特性的影响.通过分析表面电荷与体陷阱对电流坍塌效应、饱和电流和膝点电压的影响,初步确定了其变化关系.研究结果显示表面电荷的增加能够耗尽二维电子气,减弱电流坍塌效应,降低饱和电流,使膝点电压非正常后移.同时,体陷阱的减小可以有效减弱电流坍塌效应,增大饱和电流,且膝点电压基本保持不变.晶格温度较低时,热电子效应和量子隧穿效应对电流坍塌效应影响显著.采用流体动力学模型,分析了引起电流坍塌效应的内在物理机制,并获得了器件设计和制备的优化方案.

主 题 词：GaN-HEMT器件 电流坍塌效应 热电子效应 表面电荷 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0704[理学-天文学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.59.2746

馆 藏 号：203988227...