PVK空穴传输层对Ndq_3近红外发光二极管性能的影响

作     者：陈义鹏 辛传祯 罗程远 王丽师 葛林 张晓松 徐建萍 李岚 

作者机构：天津理工大学材料物理研究所显示材料与光电器件省部共建教育部重点实验室天津300384 

基　　金：国家自然科学基金(60977035 60907021) 天津市自然科学基金(11JCYBJC00300) 科技创新体系及条件平台建设计划(10SYSYJC28100)资助项目 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2013年第34卷第7期

页      码：888-893页

摘      要：以PEDOT∶PSS作为空穴注入层,聚合物PVK作为空穴传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/PVK/8-羟基喹啉钕(Ndq3)/Al的近红外OLED,研究了PVK与PEDOT∶PSS功能层对器件I-V特性和EL光谱的影响。结果显示,在EL光谱中的905,1 064,1 340 nm处均观察到了荧光发射,分别对应于Nd3+的4F3/2→4I9/2、4F3/2→4I11/2和4F3/2→4I13/2能级跃迁。与参考器件对比分析认为,PEDOT∶PSS高的导电性降低了器件的串联电阻,增大了器件的工作电流;PVK与PEDOT∶PSS共同降低了空穴的注入势垒,实现了Ndq3发光层区域的载流子的注入平衡并改善了器件的发射强度。此外,PVK有效降低了ITO电极表面粗糙度,也是器件性能提高的原因之一。

主 题 词：近红外发光二极管 空穴注入层 空穴传输层 8-羟基喹啉钕 

学科分类：0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/fgxb20133407.0888

馆 藏 号：203992533...