开关电容高Q陷波电路的实现

作     者：杨志民 袁助国 

作者机构：西北师范大学兰州730070 

基　　金：甘肃省自然科学基金资助课题 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：1993年第21卷第8期

页      码：101-103,81页

摘      要：本文从理论和设计两方面说明开关电容高Q陷波电路也可以通过Q倍增结构实现。采用这种结构还可以减小电路的电容比和总的电容值,从而减小制造芯片时的面积.

主 题 词：滤波器 开关电容 陷波 高Q 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 

核心收录：

馆 藏 号：203992833...