高亮度GaAlAs单异质结红光二极管

作     者：罗宗铁 何胜夫 董萍 李向文 魏文超 赵宇 

作者机构：中国科学院长春物理研究所长春130021 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：1993年第14卷第4期

页      码：320-324页

摘      要：本文从工业生产角度对GaAlAs单异质结红光二极管的芯片制作技术作了细致研究.设计出能同时生长多枚外延片的新结构生长舟,选择了合适的管芯参数与生长条件,制定出稳定重复的工艺流程.用本项技术制出的单异质结管芯,发光波长为660nm,平均亮度达到4.5mcd/20mA,最高亮度达6.2mcd.

主 题 词：红光二极管 单异质结 发光器件 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

馆 藏 号：203992836...