用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型

作     者：孟坚 高珊 陈军宁 柯导明 孙伟锋 时龙兴 徐超 Meng Jian;Gao Shan;Chen Junning;Ke Daoming;Sun Weifeng;Shi Longxing;Xu Chao

作者机构：安徽大学电子科学与技术学院合肥230039 东南大学国家ASIC工程中心南京210096 

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA1Z1400) 国家自然科学基金(批准号:60276042)资助项目 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2005年第26卷第10期

页      码：1983-1988页

摘      要：分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式.针对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比.结果表明两者相差仅5%,这说明所得公式可用于该类型LDMOS的分析和设计.

主 题 词：阱区 双扩散MOS晶体管 导通电阻 解析模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2005.10.023

馆 藏 号：203993326...