4.2GHz 1.8V CMOS LC压控振荡器

作     者：赵坤 满家汉 叶青 叶甜春 ZHAO Kun;MAN Jiahan;YE Qing;YE Tianchun

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2007年第27卷第3期

页      码：343-346,385页

摘      要：基于Hajimiri提出的VCO相位噪声模型,分析了差分LC VCO电路参数对于相位噪声的影响。根据前面的分析,详细介绍了LC VCO电路的设计方法:包括高Q值片上电感的设计、变容MOS管的设计以及尾电流的选取。采用SMIC 0.18μm 1P6 M、n阱、混合信号CMOS工艺设计了一款4.2GHz 1.8V LC VCO。测试结果表明:当输出频率为4.239GHz时,频偏1MHz处的相位噪声为-101dBc/Hz,频率调节范围为240MHz。

主 题 词：压控振荡器 片上电感 相位噪声模型 锁相环 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2007.03.014

馆 藏 号：203993881...