机器人气囊抛光SiC光学元件加工特性研究

作     者：黄智 周涛 吴湘 刘海涛 万勇健 郑晓 HUANG Zhi;ZHOU Tao;WU Xiang;LIU Haitao;WAN Yongjian;ZHENG Xiao

作者机构：电子科技大学机械与电气工程学院成都611731 中国科学院光电技术研究所成都610209 

基　　金：国家重点研发计划资助项目(2016YFB0500400) 四川省科技计划资助项目(2020YFG0407) 

出 版 物：《西安交通大学学报》 (Journal of Xi'an Jiaotong University)

年 卷 期：2020年第54卷第12期

页      码：22-29页

摘      要：针对碳化硅光学元件已有的化学机械抛光、磁流变抛光、电化学抛光和催化剂辅助抛光等方式存在材料去除率低、成本高等问题,提出机器人气囊抛光方法,并对气囊抛光特性、抛光头机械结构进行了研究。首先基于Preston理论和赫兹接触理论以及速度分析建立了材料理论去除模型,并对去除函数进行了仿真,再此基础上设计了气囊抛光磨头装置。然后对非球面碳化硅元件开展了单点和多点抛光,实验验证了去除函数的精确性和稳定性。最后通过粗抛和精抛进行加工应用验证,实验结果表明,所提出方法能够有效实现碳化硅光学元件抛光,并且去除函数精度高稳定性强,通过3个周期的粗抛、4个周期的精抛,面形收敛率分别为69.4%、51.9%,且收敛速度快、加工精度高。

主 题 词：气囊抛光 碳化硅 去除函数 抛光头 

学科分类：0810[工学-土木类] 12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0802[工学-机械学] 0812[工学-测绘类] 080201[080201] 

核心收录：

D　O　I：10.7652/xjtuxb202012003

馆 藏 号：203994599...