IGBT器件的门极驱动模型及应用

作     者：宁大龙 同向前 胡勋 NING Da-long;TONG Xiang-qian;HU Xun

作者机构：西安理工大学 

基　　金：陕西省工业攻关计划资助项目(2010K09-09)~~ 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2012年第46卷第12期

页      码：106-108页

摘      要：针对IGBT器件驱动电路损耗计算及驱动电源设计,分析了IGBT器件门极控制机理,建立了器件驱动电路在开关过程的等效电路,推导了门极电压和电流的解析式,给出了驱动功耗的计算方法。仿真和实验结果表明,建立的开关模型能够精确描述IGBT在开关过程中的电压电流变化,基于此模型的驱动电路功耗计算结果可作为驱动电源设计或选型的依据。

主 题 词：晶体管 门极驱动电路 数学模型 门极驱动功耗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203996179...