单场限环的平面高压器件

作     者：汪德文 范英杰 邱海昌 

作者机构：深圳深爱半导体有限公司广东深圳518029 电子十三所河北石家庄050051 

出 版 物：《半导体情报》 (Semiconductor Information)

年 卷 期：2001年第38卷第6期

页      码：42-44页

摘      要：通过优化设计和充分利用硅片面积 。

主 题 词：击穿电压 场限环 钝化 硅器件 平面高压器件 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2001.06.011

馆 藏 号：203996962...