RF集成电感的设计与寄生效应分析

作     者：李力南 钱鹤 

作者机构：中国科学院微电子中心北京100029 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2002年第22卷第2期

页      码：153-157页

摘      要：分析了体硅 CMOS RF集成电路中电感的寄生效应 ,以及版图参数对电感品质因数 Q的影响 ,并通过Matlab程序模拟了在衬底电阻、金属条厚度、氧化层厚度改变时电感品质因数的变化 ,分析了不同应用频率时版图参数在寄生效应中所起的作用 ,得出了几条实用的设计原则并进行了实验验证 ,实验结果与模拟值符合得很好 ,表明此模拟方法与所得结论均可有效地用于指导射频 (RF)

主 题 词：RF 集成电感 寄生效应 射频 品质因数 CMOS 集成电路 品质因数Q 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2002.02.006

馆 藏 号：203997010...