摘要：设计了一种中心频率为75 GHz的单级MMIC功率放大器,基于0.8μm InP DHBT器件制造,该器件f_(t)/f_(max)为171/250 GHz。电路采用两层共基堆叠(CB Stack)结构,其中下层共基偏置采用基极直接接地,输入端发射极采用-0.96 V负压供电的方式,偏置电压V_(c2)为4 V。为了提高输出功率,上下两层器件进行了四指并联设计。此外,采用同样器件设计了另外一款下层共射的传统Stack结构电路。通过大信号仿真对CB Stack与国际上部分先进工艺下InP基的传统Stack结构电路性能进行对比,CB Stack结构在增益和峰值PAE上都比传统Stack有更好的表现。

摘要：本文从热传导方程出发讨论了激光相变热处理过程中激光工艺参数及处理效果间的关系,并建立一参数方程,以此解析和揭示了某些规律,为有关的研究和生产过程提供了设计和调整激光工艺参数的理论依据。

摘要：本文报道了在 折叠中功率管式放电CO2 激光器的设计中采用槽式水冷却结构代替传统的同轴水冷套结构 ,具有结构简单紧凑 ,冷却效率高 ,谐振腔与输出功率稳定性好的优点 ;