摘要：介绍了2～18GHz GaAs 微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作。给出了主要研究结果:在2～18GHz 频率范围内,管壳封装的两级级联放大器的增益 G_a=13.5～18.3dB,噪声系数 F_n=4.2～6.2dB,输入电压驻波比 VSWR_(in)<2.0,输出电压驻波比 VSWR_(out)<2.5。

摘要：描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８～１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８～１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．２０ｄＢ；ｆ＝８～１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．

摘要：报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联放大器增益Ｇ＿ａ，为１１．３±１ｄＢ，噪声系数Ｆ＿ｎ＜６ｄＢ，输出功率Ｐ＿（１ｄＢ）＞１６ｄＢｍ。