摘要：研制了水平热壁式外延沉积系统,设计了双加热器温控系统和水平三层流喷淋系统,介绍了温场和流场获得方法。在偏4°的Si面4H-SiC单晶衬底上进行了工艺验证。研究了生长温度、C/Si以及SiH_4流量对SiC外延生长速率的影响,通过主要参数的综合调整,生长出了表面光滑的SiC外延膜。

摘要：碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率半导体器件。近几年来,随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设备也在不断开发并走向成熟。简要介绍了SiC外延生长设备中加热器的设计方法、温度控制以及温度均匀性调节方法,通过实验验证了温度均匀性及控制精度。

摘要：采用CFD方法模拟分析间接蒸发冷却器的传热传质过程,讨论通道间距、空气流速、温度、相对湿度等因素对换热效率和效率的影响。结果表明基于湿空气分析理论的评价方法更合理,为间接蒸发冷却器设计提供依据。

摘要：间接蒸发冷却换热器与传统空调相比具有环保与节能的优点。由于蒸发冷却过程的传热传质机理复杂,本文针对板式间接蒸发冷却换热器,建立了三维稳态传热传质数学模型,并确定了合适的边界条件。通过数值模拟得到了压力场、温度场和浓度场的分布,并讨论了通道间距、速度、温度以及相对湿度等因素对换热效果的影响,为间接蒸发冷却换热器的设计提供了理论指导。

摘要：间接蒸发冷却器内涉及同时发生的传热与传质过程,传热传质机理非常复杂。本文在数值模拟基础上分析了温度场与浓度场、局部Nu数与局部Sh数的分布特点以及不同因素对平均Nu数和平均Sh数的影响。应用一个无量纲数θ以考虑二次空气干、湿球温度和一次空气干球温度对对流传热传质的影响。拟合得到了平均Nu数与平均Sh数关于Re数和无量纲数θ的计算式。该结果为板式间接蒸发冷却器的设计提供了理论指导。