摘要：为实现硅微陀螺仪真空封装以提高其性能,对硅微陀螺仪器件级真空封装技术进行研究。首先,设计硅微陀螺仪的专用陶瓷封装管壳,并采用钎焊技术进行封帽,采用金锑合金为焊料以满足封装过程中的高温。分析除气工艺对硅微陀螺仪品质因数的影响,除气试验结果表明,将硅微陀螺仪芯片和封装壳体放置在真空炉中进行高温烘烤,能有效地提高硅微陀螺仪的品质因数。制定硅微陀螺仪器件级真空封装的工艺流程,封装好的硅微陀螺仪的品质因数约为10363.7,约为空气下的50倍。硅微陀螺仪品质因数跟踪测试结果表明,真空封装的硅微陀螺仪存储5个月后,其品质因数降低为最初的55.1%,这表明采用该器件级真空封装技术封装的硅微陀螺仪的真空保持度较差,有待进一步研究。

摘要：文章介绍了QFN72和CQFN72结到外壳的等效热路分析及结到外壳热阻θJC的简化计算方法,结果表明原设计下CQFN72的热阻约为1.25 K·W-1,几乎是QFN72的一倍。优化CQFN热设计的主要途径是适当减薄陶瓷基板厚度、在陶瓷基板中嵌入钨柱阵列、芯片减薄和采用金基焊料焊接等。从CQFN热设计考虑,不应在主散热区热沉下采用4J29或4J42焊接垫片,否则会使热阻θJC增大10%以上。

摘要：通过3D集成技术实现电子产品的小型化、高密度、高性能,已成为一条重要的技术途径。为了实现某型号数字信号处理系统的小型化,采用上下腔、3D叠层的气密性陶瓷封装结构,基于产品的信号/电源完整性对陶瓷封装进行了设计。运用Cadence Release16.3及SIwave5软件对其电性能进行了仿真分析,并根据仿真结果对封装设计进行优化,使封装的信号/电源完整性符合产品设计要求。最终研制生产的产品测试结果与仿真结果吻合,验证了封装电设计的合理性。

摘要：随着半导体技术的发展,封装工艺与圆片工艺的联系越来越密切,特别是倒装技术的发展及广泛应用。由CSP到WL-CSP,再到TSV技术,封装技术的发展越来越迅速。倒装技术是发展的关键技术,它包括再分布技术、凸点底层金属(UBM)技术、凸点制备技术、倒扣焊接技术和底部填充技术等。文章介绍了传统芯片通过再分布设计及工艺解决实现倒装工艺,为倒装技术以及新技术的开发和应用提供了良好的途径和广阔的空间。

摘要：倒装焊的底部填充属非气密性封装,并且受倒装焊凸点焊料熔点、底部填充有机材料耐温限制,使得倒装焊器件的密封结构设计和工艺设计受限。文章结合气密性器件使用要求,设计了两种不改变现行倒装焊器件制造工艺、器件总体结构[3]的密封技术,经过分析论证以及工艺实验,确认其是可行的。密封的器件能够满足MIL-883G中有关气密性、内部水汽含量、耐腐蚀（盐雾）、耐湿以及机械试验等[6~7],密封结构、密封工艺均是在现有封装工艺条件基础上进行,具有非常强的可行性。

摘要：随着电子封装技术的快速发展,叠层封装成为一种广泛应用的三维封装技术,该技术能够满足电子产品高性能、轻重量、低功耗、小尺寸等日益增长的需求。针对陶瓷封装腔体中的夹层式叠层芯片结构,键合点与键合引线处于陶瓷外壳空腔中,未有塑封料填充固定,区别于塑封叠层芯片封装器件,优化其引线键合技术,并做了相应可靠性评估试验。键合引线偏移长度最大为0.119 mm,未出现键合引线间隙小于设计值、碰丝短路等情况,为高可靠叠层芯片封装研究提供了参考。

摘要：随着陶瓷封装电路密度、频率和速度不断提高,电信号噪声问题凸显。信号噪声本质上源于传输线本身存在的寄生电阻、电容、电感与电信号作用导致的一系列信号质量下降、参考电位不稳定等问题。高频高密度陶瓷电设计常见的信号噪声问题包括反射、串扰和同步开关噪声等。文章分析了陶瓷封装设计中三类噪声产生的原因、危害及解决措施,并基于信号/电源完整性理论,介绍了一款高频高密度陶瓷基板的封装电设计。

摘要：多芯片、模块及其系统级陶瓷封装结构复杂,封装腔内各种元器件不均衡布置,如何设计合适的恒定加速度试验固定夹具,保证筛选过程中既能发现结构缺陷又不损伤封装体,已经成为封装结构设计中的重要考虑因素,这也是机械可靠性验证不可或缺的内容。针对恒定加速度试验中几种固定方式存在的问题,通过仿真分析和试验改进验证,提出了确定系统级陶瓷封装器件恒定加速度试验的固定方法,有效消除了试验不当导致的误判,大大提高了试验的可信度。

摘要：0.50 mm节距CQFP256封装电路在20 000 g恒定加速度试验中出现瓷体开裂失效。利用Ansys Workbench仿真平台,对试验过程进行模拟仿真。结合电路失效照片和夹具实测数值,分析仿真结果,排除了封装设计和加工质量问题。而夹具的加工缺陷是导致电路瓷体开裂的主要原因。改进试验条件重新进行试验,电路100%通过20 000 g试验。

摘要：结构和工艺设计优化已经成为封装必不可少的步骤。随着探测器封装尺寸越来越小以及可靠性要求的不断提高,气密性封装结构向表面贴装、超薄型、芯片与封装体面积比更高的方向转变,封装结构和封装工艺的设计成为可靠性、成品率和成本的关键。骑跨式贴片半导体辐射探测器陶瓷封装中,存在芯片粘接衬底、密封环、引脚与HTCC陶瓷件钎焊处有Ag72Cu28焊料堆积、爬行的现象,以及芯片的Au80Sn20焊接层存在空洞大而又无法通过X射线照相或芯片粘接的超声检测来筛选剔除不合格的问题,分析原因并通过优化封装结构、改进封装工艺等解决封装的质量和可靠性。实际生产结果表明,结构优化、工艺改进有效地简化了外壳结构,减少了制造工序步骤,并提高了芯片烧结质量和成品率,降低了封装成本。