摘要：对微下拉法生长YAG晶体进行包括感应加热在内的全局数值模拟,其耦合了感应加热、气体与熔体对流以及固液气三相的热输运,熔体对流同时考虑浮力与表面张力作用.为统一使用有限体积法离散控制方程,采用复函数法求解电磁场,与流函数法对比验证程序正确性.分析整个生长炉内的温度和流场(包括气体和熔体)分布,并针对固液交界面区域温度梯度较小的情况,改进后热器材料,为微下拉法晶体生长炉结构设计提供参考.

摘要：中国电科芯片研究院生产的JGD提拉单晶炉是一种上称重自动直径控制激光单晶炉,它实现了提拉法晶体全自动智能生长控制。利用JGD提拉单晶炉控制软件建立提拉法晶体数学模型,晶体生长全程以数学模型为标准,以晶体质量为控制量进行实时闭环反馈控制。该软件建立的晶体数学模型有四段式晶体数学模型和任意多段晶体数学模型两种形式。在设计放肩段时,四段式晶体数学模型充分体现了晶体籽晶段与放肩段、等径段三位一体平滑过渡的理念;而任意多段晶体数学模型在曲线设计上更加灵活多样,晶体数学模型设计更便捷。JGD提拉单晶炉控制软件晶体数学模型被广泛用于多种晶体生长过程,如InSb、YAG等晶体。晶体外形控制良好、品质优良。

摘要：绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成,采用Smart-Cut工艺制备,可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G通信要求的高性能集成声表面波(SAW)谐振器和滤波器。基于POI材料制备的SAW器件具有高频、高品质因数(Q)值、低温度敏感性及较大带宽等优良特性,同时还能在同一芯片上集成多个SAW滤波器,具有广阔的市场应用前景。该文介绍了POI基板的制备、国内外的研究现状及POI基板在高性能SAW滤波器中的应用,综述了制备POI基板的关键技术并展望了未来的发展趋势。

摘要：该文研究了微下拉法晶体生长炉晶体生长的稳定性。根据微下拉法晶体生长特点,设计了2种微下拉法晶体生长的功率自动控制方法,通过控制弯月面高度和生长晶体质量,实现晶体生长自动控制,保证生长过程稳定,实验结果表明,采用自动控制方式可以生长出外形美观,内部质量好的纤维晶体。

摘要：针对非标准尺寸的晶块和晶圆在倒角过程中存在崩边、崩缺等问题,该文通过设计并排式组合夹具和真空吸附盘组件将产品固定,同时设计45°和弧形刀具,然后采用单一直线和正偏移路径进行加工。实验结果表明,与传统的倒角工艺相比,优化能大幅度地降低倒角过程中产生的崩边、崩缺等问题,不合格率从14.78%降低到3.09%,有利于批量生产。

摘要：闪烁晶体的光输出性能会受到晶体温度的影响。掺铈钆镓铝石榴石(Gd_(3)(Ga,Al)_(5)O_(12)∶Ce,GAGG∶Ce)闪烁晶体在医学成像、辐射监测、高能物理等领域应用广泛。为研究GAGG∶Ce晶体光输出的温度特性,本文设计了晶体温度为单一变量的实验,测量了GAGG∶Ce晶体在-30~60℃、121.8~1112.1 keV的7个能量γ射线的全能峰峰位随温度的变化,得到了GAGG∶Ce晶体光输出随温度的变化曲线,并分析了晶体光输出与温度的线性关系;采用一次函数拟合了不同温度下121.8~1112.1 keV的7个能量与γ谱线相应道址的能量线性,其线性拟合的决定系数R^(2)大于0.9999,证明了GAGG∶Ce晶体具备良好的能量线性。