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检索条件"作者=万积庆"
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巨型功率晶体管场限环研究
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《湖南大学学报(自然科学版)》1993年 第3期20卷 64-67页
作者:万积庆湖南大学应用物理系 
通过解联立一维泊松方程得到了场限环结构的电场和电位分布.讨论了环间距、环宽、N-掺杂浓度、结深和表面电荷密度等参数的影响,得出了归一化击穿电压和环间距计算值.用这些计算值可以推算多环间结构的击穿电压和作为场限环设计的依据.
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非单调线性变化且可变位的双DAC电路设计
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《微电子学与计算机》1996年 第1期13卷 22-26页
作者:周志仁 章颖芳 万积庆湖南大学应用物理系 
本文设计了一个数字输入和模拟输出呈斜锯齿波变化且位数可在7、11、15、19位4种结果中选择的双DAC电路。它设计在一单片机内,作掌型电脑的声音控制。
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1MBEPROM特殊读写方式的逻辑设计
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《湖南大学学报(自然科学版)》1994年 第2期21卷 86-90,104页
作者:周志仁 万积庆 陈迪平 
本文给出了一个有特殊读写方式的1MBEPROM的结构和关键部分的逻辑设计。采用一脚多用及混用技法,尤其是利用三个输出端兼作高位地址输入端,并加入适当时序设计,能有效地实现1MBEPROM的自加密。按标准封装管脚给出的...
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四个有特色的CMOSD触发器的逻辑设计
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《湖南大学学报(自然科学版)》1994年 第4期21卷 34-39页
作者:周志仁 万积庆 伍作文 刘放明 
本文给出了我们设计的四个有特色的CMOSD触发器的逻辑,它们应用于一个VLSI单微机电路中。文章分析了它们的特点和原理。其主要特点是:①增强了同步控制措施;②“预置”与“清除”共用一根控制线以减少芯片面;③附加功能...
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超大功率晶体管的设计研究
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《半导体杂志》1990年 第3期15卷 1-18,25页
作者:万积庆 钟可奇 
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场限环与场板复合结构浅平面结高压器件设计
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《微细加工技术》1996年 第2期 49-53页
作者:万积庆 陈迪平湖南大学物理系 
采用场限环和场板复合结构的浅平面结高压器件,比单一采用场限环或场板结构,具有更好的击穿电压重复性及一致性。本文根据简化的二维泊松方程,对环间距、环数以及场板宽度进行计算,可作为这种结构的设计参考。
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动漫创作的民族化及艺术创新探析
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《韶关学院学报》2008年 第11期29卷 91-95页
作者:周建民 皇甫 江汉大学语言文学研究所 江汉大学文理学院湖北武汉430056 
我国动漫艺术创作有过辉煌的历程,但现阶段已落后于世界发达国家,要摆脱当前国产动漫创作存在的困境。必须走民族化的艺术创作道路。中国动漫创作只有充分发掘利用中华民族丰富的文化因子,从民族化题材和美学元素,民族精神和气质,民族...
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