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STM“接触”式测量中的整流效应
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《真空科学与技术学报》2005年 第3期25卷 189-191,199页
作者：邱伟民 严学俭 李旭 沈淼 曾志刚 张莉 华中一复旦大学材料科学系上海200433 
在利用扫描隧道显微镜(STM)对Ag-TCNQ薄膜进行“接触”式的I-V特性测量中,发现由于接触势垒引起的整流效应。这为有机分子在电子学的应用方面,提供一种新的思路,从而设计新的有机电子器件。
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