摘要：用法国进口的ＧａＡｓＶＰＥ设备，采用ＡｓＣｌ）３／Ｈ＿２／Ｇａ体系，以ＳｎＣｌ＿４ｌ／ＡｓＣｌ＿３为掺杂液，生长了２英寸多层ＧａＡｓ外延材料，自行设计了反应器的热场分布，在反应器中增加了合适的搅拌器，用以改变反应器中气体流动情况。ＧａＡｓ外延层的浓度均匀性与厚度均匀性均小于５％。浓度均匀性的最佳值为３．７％，厚度均匀性的最佳值为１．５％，当外延层载流子浓度为１．９×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）时，室温迁移率达到４３９０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。

摘要：采用金属有机化合物汽相淀积技术生长用于高亮度发光管 (UB-L ED)的 Al Ga In P/Ga As半导体微结构材料 ,突破了材料结构设计和材料生长工艺的关键技术 ,生长出满足于 Cd级的红、橙、黄光 L ED器件的外延材料。

摘要：为进一步获得MOOC教学的可靠性结论,本研究以大学MOOC教学模式为试验组、传统教学模式为对照组对其学习效能进行了系统评价。本研究通过检索相关中英文数据库及在线研究注册平台以获取定量针对MOOC教学和传统课堂教学的RCTs和CRCTs研究文献,随后根据系统评价流程提取数据进行元分析。研究最终表明,MOOC教学模式在考试成绩和学习能力以及提高学习者兴趣和满意度方面均具有积极作用。但鉴于纳入研究的数量及其研究设计的局限性,该证据还需通过补充更多更高质量的RCT文献以待进一步验证。