摘要：　提出了一种全新的基于铁电存储器FeRAM编程的非挥发FPGA思想(概念),它主要是针对基于SRAM的FPGA的掉电挥发性问题提出的。文章在采用传统2T-2C结构的铁电存储单元的基础上完成数据的编程操作,并进一步对上述单元进行了电路和时序上的调整设计,提出了在FPGA工作环境下虽破坏性读出但无需回写的铁电存储单元。通过对文中提及的两种单元电路的仿真模拟,实现了编程数据的掉电保护、上电恢复的非挥发功能,初步验证了基于FeRAM编程的非挥发FPGA思想的正确性和可行性。

摘要：设计了一个工作在3.0V的10位40MHz流水线A/D转换器,采用了时分复用运算放大器,低功耗的增益自举telescopic运放,低功耗动态比较器,器件尺寸逐级减小优化功耗.在40MHz的采样时钟,0.5MHz的输入信号的情况下测试,可获得8.1位有效精度,最大积分非线性为2.2LSB,最大微分非线性为0.85LSB,电路用0.25μmCMOS工艺实现,面积为1.24mm2,功耗仅为59mW,其中同时包括为A/D转换器提供基准电压和电流的一个带隙基准源和缓冲电路.