摘要：根据5G信号对通道带宽的要求,通过研究陶瓷基板中“类同轴”互连的微波特性,设计了一种新型非垂直互连结构,通过陶瓷介电层之间金属化通孔的错位设计,改善垂直过孔与水平传输线转弯处的阻抗突变,更有利于高频信号的传输,进一步扩展带宽。分析了错位角度、阶梯级数、焊球半径和焊球间距对传输性能的影响,设计并实现了宽带低损耗互连陶瓷基板。测试结果表明,该结构的最高应用频率可达55 GHz,在DC-55 GHz频带内插入损耗小于1.5 dB,回波损耗大于15 dB,同时利用实测数据进行信号传输验证,结果表明在未引入预加重、均衡的情况下即可满足56 G/112 G NRZ,112 G PAM4高速信号的传输。

摘要：设计了一种新型双频高阻抗表面(HIS)结构,并将其应用在双频微带天线的带内雷达散射截面(RCS)减缩中。通过在蘑菇状EBG结构的表面贴片开槽实现两个同相反射相位带隙,将该HIS结构加载在双频微带天线周围。仿真和实测结果表明,当天线周围加载HIS结构后,天线辐射性能基本不变,同时带内RCS分别获得5.5dB和6.5dB的减缩。

摘要：基于滤波器技术指标,综合分析低温共烧多层陶瓷(LTCC)滤波器中集总、分布两种设计方案的优劣势,提出了一种集总元件和分布元件结合的电路,即两端电路采用集总元件,中间电路采用分布元件,并在建模中优化了元件特性。经过三维电磁软件仿真与工艺加工制作,发现该集总元件和分布元件结合的设计实现了L波段11%相对带宽下插入损耗3 dB以内,回波损耗20 dB以上,近端抑制60 dB以上,远端至X波段无明显寄生通带。测试结果、电路仿真结果和电磁场仿真结果一致性良好。

摘要：随着芯片工作频率的升高,高频封装的需求日益增加。为满足高频单片微波集成电路(MMIC)封装需求,研究并设计了50GHz金锡封口陶瓷四边扁平无引线(CQFN)外壳。金锡封口的优点在于气密性,但频率更高时,封口环引入的焊盘阻抗失配、腔体谐振问题也更加明显。通过优化高频信号焊盘外围匹配结构,使其兼顾屏蔽特性、阻抗匹配及可靠性。同时优化盖板结构,消除了带内腔体谐振。为了评估外壳性能,设计了“印制电路板(PCB)+CQFN外壳+50Ω微带线”一体化结构,该结构在DC~53GHz频带内的实测结果为:回波损耗S_(11)-1.5dB。完成芯片封装并实测,芯片封装前后带内外性能基本一致。

摘要：某型号低压差线性稳压器在筛选试验中出现电源输出不正常的情况,经检验发现管壳侧壁陶瓷出现裂纹,裂纹导致管壳陶瓷中的金属化布线断裂,进而造成信号输出异常。使用有限元分析的方法对主要产生热应力的两个阶段,即管壳钎焊、板级回流焊接进行模拟仿真,找出陶瓷出现裂纹的力学原因,并据此提出陶瓷管壳结构的改进方案——减少应力来源,减小散热片面积;加大陶瓷结构结实度,在总体厚度不变前提下,增加陶瓷体厚度。重新做应力分析,通过对比,在相同温度条件下优化方案仿真应力数值改善明显,优化结构耐受热载荷能力得到极大提高,结构非常安全。根据仿真结果制作样品并对样品进行可靠性试验验证。结果表明,改进设计可以解决封装器件板级筛选试验中出现的陶瓷层裂纹问题。

摘要：为满足高速芯片对高密度封装、高速传输性能、高散热以及高可靠性的综合要求,基于低温共烧陶瓷(LTCC),研究了一款带热沉结构的高速差分球栅阵列(BGA)一体化封装外壳。该BGA外壳集成了20路高速信号传输通路,具有高密度和高集成的特点。分析了高速传输路径中水平转垂直结构时节距改变引入的失配问题,采用了分叉结构处过渡优化布线方案。通过对键合丝进行阻抗匹配设计,降低了键合指端头尺寸较小时键合丝引入的电感-电容效应,实现单个通路射频(RF)性能在DC~67 GHz满足回波损耗≤-12 dB,可支持单通道100 Gbps PAM4信号传输。通过设置通腔结构焊接钼铜热沉,使芯片与热沉直接接触,并将热沉与BGA焊盘置于不同侧,可在不影响二级装配的同时满足大功率芯片散热需求,解决了LTCC陶瓷散热不足的问题。采用下沉式封口区,在实现气密性封装的同时避免盖板与焊球干涉。

摘要：文章根据各向异性导电胶膜(ACF)的特性设计一款可应用于射频BGA外壳的无损测试夹具,可同时适用于射频BGA外壳和器件的电性能测试。通过实际的测试对比分析,采用该夹具的测试结果与常规焊接方式的测试结果一致性好,具有测试性能准确、无损的特点,为外壳的电性能测试提供便利。