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最新超结功率MOSFET使大功率硬开关拓扑电路的使用成为可能: 收藏
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引用; 《电力电子》2006年第4期4卷 46-48页; 作者：Gerald Deboy Fanny Dahlquist Tobias Reimann Marco Scherf 亢宝位（译）胡冬青（译）不详北京工业大学; 无论对哪种封装,新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开关速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM(Ron*Qg)——低于6ΩnC,这就注定了此器件将被用于硬开关AC/DC功率转换电路。本论...; 无论对哪种封装,新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开关速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM(Ron*Qg)——低于6ΩnC,这就注定了此器件将被用于硬开关AC/DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构(ITTF)的功耗。为尽量保证比较有意义,我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入/输出条件。结果表明,与次好的MOSFET移相ZVS桥相比,新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。; 来源：详细信息评论

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