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一种用于生产的GaN HEMT器件空气桥的设计
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《电子与封装》2023年 第9期23卷 55-59页
作者：石浩 王雯洁 付登源 梁宗文 王溯源 张良 章军云中国电子科技集团公司第五十五研究所南京210016 
为了解决当前GaN HEMT器件空气桥起桥角度、桥胶高度不稳定且易受后续步骤影响导致桥胶坍塌的问题,通过分别改变光刻胶定型桥的烘胶温度、烘胶时间以及曝光过程中的曝光焦距,观察不同条件下光刻胶定型桥桥胶的形貌和参数,选择最优的光...
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