文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

BSC──ISFET的特殊工艺研究: 收藏
分享
引用; 《功能材料与器件学报》1996年第3期2卷 200-205页; 作者：陈绍凤韩泾鸿陈德勇王利付秉相中国科学院电子学研究所; 本文研究了背面引线离子敏感场效应器件Ｂａｃｋｓｉｄｅｃｏｎｔａｃｔｉｏｎｓｅｎｓｉｔｉｖｅｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＢＳＣ－ＩＳＦＥＴ）的特殊工艺技术。重点阐述了双面光刻，各向异性腐蚀，深坑加工，腐...; 本文研究了背面引线离子敏感场效应器件Ｂａｃｋｓｉｄｅｃｏｎｔａｃｔｉｏｎｓｅｎｓｉｔｉｖｅｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＢＳＣ－ＩＳＦＥＴ）的特殊工艺技术。重点阐述了双面光刻，各向异性腐蚀，深坑加工，腐蚀自停止等技术，实现了源漏电极从芯片背面引出，给出了扫描电镜分析照片。提出了一个合理，实用的腐蚀配方及条件：在７７℃恒温腐蚀溶液中（ＫＯＨ：ＩＰＡ：Ｈ２Ｏ＝２５．６：１６．５ｍｌ：６０ｍｌ），腐蚀约５小时３０分钟，腐蚀速率为５５μｍ／ｈ－６０μｍ／ｈ。得到了光滑、平整的坑底和坑壁，棱角分明斜度正常（５４．７°），重复性好，实验结果表明其接触电阻小于４Ω，达到ＢＳＣ－ＩＳＦＥＴ设计要求。; 来源：详细信息评论

限定检索结果