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GaAs单片移相器设计: 收藏
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引用; 《微波学报》2005年第4期21卷 54-57页; 作者：周志鹏杜小辉代合鹏南京电子技术研究所南京210013; 本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5 μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片.试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5～5.0...; 本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5 μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片.试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5～5.0GHz带宽内,移相起伏小于10°;在2.6～3.5GHz带宽内,移相起伏小于5°,同设计仿真结果基本吻合.; 来源：详细信息评论

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