摘要：提出了一种应用于高功率微波组件的集成无源电容式高硅铝合金基芯片载体技术。首先,利用化学机械抛光、磁控溅射和阳极氧化技术,在高硅铝合金衬底上制备出基于Ta_(2)O_(5)-Al_(2)O_(3)混合介质层的薄膜电容,比容量测试结果约为7μF/mm^(2)。然后,在薄膜电容制备工艺基础上,结合光刻、刻蚀和图形电镀等技术,在高硅铝合金圆片表面同时加工出薄膜电容、电源导线以及共晶焊接膜层等结构,从而完成一体化集成功率芯片载体制备。最后,开展了芯片载体在微波发射组件中的应用验证,发射功率测试结果为9.8 W(通道1#)/9.6 W(通道2#),杂散抑制测试结果为-76.24 dB(通道1#)/-75.09 dB(通道2#),均满足组件设计指标要求。

摘要：采用选择穿透性阳极氧化方法制作了一种阵列型三维封装铝基板。利用ANSYS有限元法分析了三维封装铝板的应变,并从铝的纯度和掩膜两个方面优化设计,有效控制了铝板穿透性氧化后的形变和裂纹。

摘要：针对三维封装热应力失配引发的互连可靠性问题,提出了基于铝基板侧边互连的三维封装方法。应用ANSYS软件建立了COB（Chip on Board,板上芯片）堆叠灌封模型,分析了单层COB及多层COB的应力分布并进行优化,并通过实验进行验证。结果表明,在COB层间增设围坝结构可有效抑制翘曲,经过25~125℃温循,加设围坝的四层COB灌封结构最大变形量为0.081 mm,最大等效应力为175 MPa,低于硅芯片的断裂强度,层间无开裂,经温循实验后固存读写功能正常。