摘要：化学机械平坦化(Chemical mechanical polishing or planarization,CMP)作为目前唯一可以实现平面平坦化的工艺技术,是集成电路制造工艺过程中实现晶圆表面平坦化的关键技术。保持环(Retaining Ring)作为化学机械平坦化工艺的主要耗材之一,在CMP工艺中得到了广泛的应用。保持环主要用于CMP抛光工艺过程中固定晶圆,有助于研磨液通过保持环接触面上的多个沟槽输送到抛光垫-晶圆界面,提高了晶圆去除率的不均匀性(Within-wafer nonuniformity,WIWNU)。本文综述了近年来保持环材料、沟槽数、沟槽角度、沟槽接触角等因素结合CMP工艺(抛光液流量、转速、压力等)对CMP抛光效果(粗糙度、平坦度、去除率等)的影响。特别地,本文详细介绍了不同材料和结构的保持环与抛光垫之间的摩擦学和动力学行为、材料去除率(Material removal rate,MRR)和晶圆内去除率WIWNU的影响,期望为新型保持环结构的设计和制造提供新的研发思路。