摘要：基于K_(2)O-B_(2)O_(3)-SiO_(2)三元体系玻璃,在固定玻璃组成参数R值的基础上,设计了不同玻璃组成参数K值含Ag碱硼硅酸盐玻璃。采用熔融法制备了基础玻璃,在析晶温度范围内经过一步法热处理,所有样品内部都析出了球形的AgCl晶粒。研究表明,玻璃组成参数K值对含Ag碱硼硅酸盐玻璃体内AgCl晶粒的析出产生了明显影响。对于设计制备的弱分相体系玻璃,玻璃组成参数K值的改变可以影响玻璃网络的聚合度,但玻璃的分相并不是影响玻璃析晶的主要因素。通过玻璃结构分析,玻璃组成参数K值的改变能够对ZrO_(2)在玻璃网络中的存在状态产生影响,进而降低ZrO_(2)在玻璃网络中的溶解度,增加了基础玻璃中的成核位点,从而对含Ag碱硼硅酸盐玻璃的AgCl析晶行为产生重要影响。

摘要：选取隧道围岩压力计算的7种常用方法,分别计算隧道埋深和隧道跨度等参数对围岩压力计算结果的影响,分析比较7种计算方法的优缺点及适用范围。研究结果表明:全土柱理论适用于不考虑隧道跨度的明挖回填工程或埋深较浅、围岩条件较差的隧道工程;普氏公式适用于有一定自承载能力的深埋隧道;《人工岩石洞室设计规范》和《水工隧洞设计规范》适用于不考虑隧道跨度的围岩条件较好的隧道;太沙基公式和比尔鲍曼公式适用于围岩条件较差的浅埋隧道;《铁路隧道设计规范》中的围岩压力计算方法综合了全土柱理论、谢家烋公式和基于样本统计及围岩分级经验公式的优点,物理概念相对明确,便于工程技术人员应用,然而经验公式存在计算围岩压力随埋深变化不连续的情况,建议结合理论解析进一步修正和完善。

摘要：提出了一种浮栅型快闪存储器(flash memory)阈值电压分布读取方法。其读出电路结构主要包括电容反馈互导放大器(capacitor feedback trans-impedance amplifier,CTIA)和8b循环型模数转换器(cyclic analog-to-digital converter),以上电路将存储单元的阈值电压进行数字量化输出。此外芯片还集成了译码电路、高压电路、偏置电路和控制电路等辅助电路。上述设计采用0.13μm 2P3M NOR快闪存储器工艺,芯片面积为2.1mm×2.8mm,其中存储阵列包含1 024×1 024个存储单元。测试结果表明该读取电路能够精确地读取快闪存储器的阈值电压分布,可以用来进行存储阵列器件和工艺的离散性等特性研究,也可以用于编程/擦除算法的优化设计。

摘要：围岩压力作用模式和时空演化规律是隧道支护结构设计的核心内容,一直是地下工程界研究的热点问题之一。在总结隧道围岩压力类型和主要影响因素的基础上,通过对44座隧道91个监测断面围岩压力的统计分析,研究隧道围岩压力的总体分布特征及其与围岩级别、隧道埋深的关系,讨论竖向、侧向围岩压力及侧压力系数随隧道埋深增大的变化规律。基于现场监测数据的统计分析,研究隧道围岩压力时程变化的基本规律,将隧道围岩压力随时间变化划分为快速增长–缓慢增长–趋于稳定的3个阶段,其中快速增长阶段多集中在隧道开挖后无支护或支护结构尚未完全发挥作用的一段时间;讨论隧道围岩压力沿洞周的分布规律和不均匀系数的分布特征。研究结论为分析隧道围岩压力作用机制和完善支护结构设计方法具有一定的参考价值。

摘要：扩展计数型模数变换器(ADC)结合了ΣΔ调制器高精度和Nyquist速率ADC速度相对较快的优点,因而获得了广泛的重视。设计了一种13bit的扩展计数型ADC,设计中采用了1.5bit量化技术和硬件复用技术,其中,1.5bit量化技术降低了系统对比较器精度的要求,因而可使用动态比较器来降低系统的功耗。硬件复用技术利用了扩展计数型ADC两步变换分时操作的特点,采用同一套模拟器件实现了两个变换过程,既降低了系统功耗,又减小了核心电路的面积。上述设计采用0.18μm CMOS混合信号工艺流片验证,芯片核心部分的面积只有0.06mm2。测试结果表明该ADC的有效位数(ENOB)为10.6bit,在19.5ks/s的转换频率下功耗只有115μW。

摘要：隧道衬砌裂损影响衬砌结构的整体稳定性,并易引起渗漏水病害、基床病害和复合型病害等隧道病害,降低衬砌结构的耐久性和安全性.基于衬砌裂损的力学机理分析,将隧道衬砌混凝土裂缝发展过程分为6个阶段,给出每个阶段的状态描述,并针对引起衬砌裂损的隧道衬砌厚度不足及衬砌背后空洞两个影响因素进行深入研究,分别利用隧道衬砌的拉、剪应力集中系数进行计算,明确不同围岩条件下隧道衬砌厚度不足或衬砌背后空洞等因素与衬砌内部应力集中程度之间的内在联系,为进一步建立依据隧道衬砌检测结果进行隧道衬砌状态评估的评估体系提供了量化基础.

摘要：随着片上系统(SoC)电源电压的降低,嵌入式快闪存储器内部电荷泵电路的电压增益不断下降。为提高低电源电压下电荷泵电路的效率,提出了一个基于两路互补结构的高效率电荷泵电路,并设计了栅压提高电路与衬底调节电路,二者的共同作用可以有效地减少传输电压的损失,提高电荷泵电路的电压增益。模拟结果表明:当电源电压为1.5V时,相比于传统的电路结构,所提出的电荷泵电路电压增益有很大的提高。该电路特别适用于低电源电压下工作的嵌入式快闪存储器。

摘要：在快闪存储器中,多晶硅浮栅的漏电、存储单元之间的干扰、长期的编程擦除操作都会使存储单元的阈值电压发生漂移,使采用多电平技术的快闪存储器的阈值电压分布规划变得越来越困难。针对这一问题,提出了一种快闪存储器阈值电压分布读取方法,该方法能准确地测量快闪存储器的阈值电压分布,给快闪存储器阈值电压分布规划和编程擦除算法的设计提供参考。

摘要：总剂量辐照下,存储单元和MOS管阈值电压均会发生漂移,引起灵敏放大器性能退化.基于0.6μmSOI工艺,设计了一种用于SONOSEEPROM存储器中的高速、辐照加固的新型灵敏放大器.该电路中采样反相器和参考支路采用电路补偿技术,以达到抗辐照效果.双支路预充技术用于提高读取速度.仿真结果表明灵敏放大器中采样反相器噪声容限,以及参考电流基本不受辐照引起的阈值电压漂移的影响.此外,辐照后新型灵敏放大器电路延迟时间仅为9.16ns,与传统单支路预充结构相比,延迟时间缩短27%.

摘要：设计了一个1 kb EEPROM IP电路,包括1.2μm EEPROM工艺和EEPROM IP电路的设计。通过对电路结构的改进和对电路的优化设计,达到了低压低功耗的要求,并可以在较大的电压范围内工作。采用与CMOS工艺兼容的1.2μm EEPROM工艺进行流片,降低了生产成本,适用于RF ID系统。