摘要：基于交叉耦合技术提出了一种新型低压低功耗伪差分环形压控振荡器(VCO).电路整体包括新型伪差分环形压控振荡器、输出整形缓冲(buffer)电路两个部分.在VCO电路中采用了尾电流源控制的反相器为基本延时单元,实现了一种新型低压低功耗伪差分环形振荡器设计,并采用线性化技术改善调节线性度.利用输出buffer对VCO输出波形进行整形,消除了这种结构下输出摆幅受到尾电流源影响而不能达到轨到轨摆幅的限制.基于0.13μm标准CMOS工艺,利用cadence spectre进行仿真验证,前仿真结果表明在电源电压为1.2V时,该VCO相位噪声为-100.58dBc/Hz@1 MHz,功耗为0.92mW,在0.45~1V的电压范围内,频率调谐范围宽达0.303~1.63GHz,具有非常好的调节线性度,在电源电压为1V时仍然能正常工作.

摘要：基于UMC 65nm CMOS工艺设计实现了一种快速建立的低噪声带隙基准源.利用工作在深线性区的MOS管实现了GΩ级别大电阻,因此仅采用5pF的电容即实现了截止频率低至32Hz的带开关低通滤波器,有效降低了带隙基准源输出噪声.有源器件的采用大大节省了芯片面积,降低了制作成本.通过采用上电延时电路去控制低通滤波器工作状态,克服了采用大阻值电阻或大容值电容低通滤波器降噪面临的缓慢建立问题,实现了快速建立.通过Spectre仿真器对电路在1.8V电源电压下进行了仿真,后仿真结果表明,电路在10kHz、100kHz、1MHz的输出噪声分别为:11.76nV/sqrtHz、1.213 nV/sqrtHz、336.8 pV/sqrtHz,电路的建立时间为1.436μs,整体功耗为104.4μW.本文设计已在实际芯片中得到应用,并取得了预期效果.