摘要：为了提高栅极硅晶片与聚合物敏感膜间粘附力,实现对血清钾的快速准确测定,采用表面接枝聚合法,利用γ-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)修饰羟基化的硅晶片,再经琥珀酸酐羧基化处理后,将二苯并-18-冠醚-6(DB18C6)以化学键的方式偶联在修饰后的Si-APTES表面,形成平面型刷状结构Si-APTES-DB18C6。同时设计了基于SEGFET的K+传感器装置,将制备的刷状结构冠醚用于分离式扩展栅上的K+敏感膜。结果表明:该敏感膜在pK 2~3范围内具有良好的Nernst响应,灵敏度达58.9 mV/pK,相关系数达0.99以上,其响应时间约为2.5 min。该K^+敏感膜由于灵敏度高、稳定性好、机械性能好等优势,可用于钾离子传感器和基于FET的生物传感器。

摘要：为提高栅极硅晶片与聚合物敏感膜间粘附力,采用表面接枝聚合法,利用γ-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)修饰羟基化的硅晶片,将聚苯胺(PANI)以化学键的方式偶联在修饰后的Si-APTES表面,形成平面型刷状结构Si-APTES-PANI。同时设计了基于SEGFET-p H传感器装置,将制备的刷状结构PANI用于分离式扩展栅上的p H敏感膜,结果表明:PANI在p H 1~8范围内具有良好的能斯特响应,灵敏度达58.1 m V/p H,相关系数达到0.99,在p H=7条件下响应时间缩短至2.5 min左右。该p H敏感膜灵敏度高、稳定性好、机械性能好,可用于p H传感器和基于FET的生物传感器。