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GaAs PHEMT的I-V特性退化机理综述: 收藏
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引用; 《空间电子技术》2023年第6期20卷 64-74页; 作者：何述万董濛周虎梁晓新周智勇阎跃鹏王魁松中国科学院微电子研究所北京100029 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029 国家发展和改革委员会创新驱动发展中心(数字经济研究发展中心)北京100045; 新一轮信息技术发展背景下,砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注,文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能,推导晶体管的I-V特性方程,建立器件物...; 新一轮信息技术发展背景下,砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注,文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能,推导晶体管的I-V特性方程,建立器件物理层面的参量与电路层级的参数之间的映射关系,以此寻找其阈值电压、漏源电流及跨导等性能参数的退化规律。为使性能退化过程的叙述条理清晰,文章将主要退化失效机理划分为结构缺陷、电热应力和环境因素三个方面。为舒缓减轻晶体管的退化失效程度,文章从结构材料、加工工艺和电路设计等方面探讨性能的改进空间和优化途径。; 来源：详细信息评论

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