摘要：为克服传统圆形离子源刻蚀基片数量较少、产能较低的劣势,提高离子源栅网的精度、稳定性及使用寿命,设计出一种用于离子束刻蚀的条形离子源栅网。采用ANSYS18.2对栅网进行热应力仿真模拟分析,为进一步增强离子源栅网性能,通过加工前后的真空退火处理,达到改善栅网使用性能、提高稳定性和延长使用寿命的效果。将两种栅网装载至M431-9/UM型离子束刻蚀设备进行实验验证,结果表明相比条形腰孔曲面型栅网,条形圆孔平面型栅网在热应力下形变量更小,更符合离子源对精度、稳定性及使用寿命的要求。

摘要：为研究工艺参数对碲镉汞红外器件单层钝化膜工艺影响规律,采用红外器件钝化膜专用磁控溅射系统设备作为实验载体,通过仿真优化指导设计磁控溅射阴极靶,加快实现磁控溅射靶的制备;并采用仿真与实验相结合的方法研究靶基距、靶偏置角度等工艺参数对镀膜均匀性的影响规律,获得较优的一组工艺参数值,为钝化膜工艺形成稳定、均匀性较好的膜层提供理论指导,为进一步研究双层钝化膜层奠定基础。

摘要：为了探讨红外器件钝化膜工艺专用磁控溅射系统的设计,通过分析红外器件钝化膜工艺特性,采用多腔群集式结构、多梯度真空等设计优化了专用磁控溅射系统,实现了8英寸范围内高均匀性薄膜沉积和基片可旋转上置可靠传输,其性能稳定可靠。

摘要：集群式PVD设备具有产能高、污染控制好、工艺配置灵活等特点,广泛应用于集成电路、MEMS、光学薄膜等半导体晶圆制造薄膜沉积工序。本文针对集群式PVD设备结构和工艺特征进行研究,设计一套满足晶圆传输、定向、烘烤、沉膜等功能控制系统,详细阐述设备各模块功能,控制系统软硬件设计及实现。

摘要：通过分析InP基激光器和探测器芯片电极金属薄膜工艺需求与特性,采用多靶共焦结构,多梯度真空等设计优化了专用磁控溅射系统,实现晶圆复合膜层沉积,晶圆台面或沟槽图形良好的覆盖性。针对标准100 mm(4英寸)InP基片的生产需求,满足100 mm片剥离工艺的低温溅射成膜要求设计工艺试验。实验结果表明,所沉积的金属薄膜均匀性优于5%,台阶覆盖比大于0.3,满足InP基晶圆薄膜沉积和表面覆盖层制备工艺需求。

摘要：研究了离子注入设备的结构组成和工艺流程,介绍了设备控制系统的架构和功能设计思路。利用有限状态机中的层级状态机思路,建立了晶圆传输设备的个体行为分层模型,作为控制系统的基础,并且建立了强时序性的逻辑调度任务状态模型。通过获取系统运行晶圆数量及工艺顺序,模拟晶圆的运行路径,以系统工艺时间效率为评价标准,采用分段调度策略寻找最优路径的方法,设计了一套自动上下料的控制系统。

摘要：介绍了一种大型网带式玻璃退火炉传送系统,论述了其设计方案和工作原理,着重阐述了双离合变速机构的设计以及相关计算等。

摘要：介绍了一种大型网带式触摸屏玻璃退火炉的具体设计,对炉体功率分布、稳定均匀性保温设计做了详细的说明,通过温度测试,设备达到设计要求,保温区温度均匀性达到±2℃,温度稳定性为±1℃。

摘要：设计了一种用于丝网印刷机的印刷间距调整系统,能够对丝网印刷间距进行实时精确调整,并在丝网印刷机中验证了该系统能够提高印刷品质,稳定工作。

摘要：介绍了新型晶硅电池快速烧结炉的研制,提出了适应高阻工艺的快速烧结炉在炉体结构特点、温度控制方式、快速降温冷却等几个方面的改进设计,来提高晶硅电池的转换效率,降低生产成本。根据此设计生产的新型晶硅电池快速烧结炉,应用于产业化晶硅电池的高阻工艺流程中,满足工艺要求,取得了较好的经济效益。