摘要：介绍了新型晶硅电池快速烧结炉的研制,提出了适应高阻工艺的快速烧结炉在炉体结构特点、温度控制方式、快速降温冷却等几个方面的改进设计,来提高晶硅电池的转换效率,降低生产成本。根据此设计生产的新型晶硅电池快速烧结炉,应用于产业化晶硅电池的高阻工艺流程中,满足工艺要求,取得了较好的经济效益。

摘要：为了探讨红外器件钝化膜工艺专用磁控溅射系统的设计,通过分析红外器件钝化膜工艺特性,采用多腔群集式结构、多梯度真空等设计优化了专用磁控溅射系统,实现了8英寸范围内高均匀性薄膜沉积和基片可旋转上置可靠传输,其性能稳定可靠。

摘要：集群式PVD设备具有产能高、污染控制好、工艺配置灵活等特点,广泛应用于集成电路、MEMS、光学薄膜等半导体晶圆制造薄膜沉积工序。本文针对集群式PVD设备结构和工艺特征进行研究,设计一套满足晶圆传输、定向、烘烤、沉膜等功能控制系统,详细阐述设备各模块功能,控制系统软硬件设计及实现。

摘要：熔断式温度继电器是动车组设备温度监测系统的重要器件,由于列车运行在高温、振动、盐雾污秽等环境,导致熔断式温度继电器性能出现劣化,容易出现误动作、误报警等故障,严重时引发行车故障。因此,研究动车组熔断式温度继电器性能的劣化特性,对保证动车组安全稳定运行具有重要意义。研究熔断式温度继电器的绝缘电阻、接触电阻、热敏药丸高度随运营里程的变化关系,并通过盐雾老化试验对熔断式温度继电器进行加速寿命测试,结果表明:随着运营里程增加,绝缘电阻无明显变化,而接触电阻逐渐增大、热敏药丸高度逐渐减小;基于测试数据对接触电阻进行预测,发现在运营里程数分别为1040万km、1000万km时,轴箱和齿轮箱用的熔断式温度继电器接触电阻分别达到警戒值;盐雾老化过程中,由于熔断式温度继电器内部触点受到腐蚀、表面发生劣化、触点松动,导致其接触电阻增大、热敏药丸高度下降。

摘要：Organic persistent room-temperature phosphorescent(RTP)materials are promising for applications requiring the secure recording and anti-counterfeiting features owing to their appealing optical *** critical challenges,such as the difficulty to obtain high-quality patterns over large areas and low security levels,need to be addressed to meet the requirements for commercial ***,we prepared a series of quaternary phosphonium salts with different alkyl chains,which showed interesting organic persistent *** ionic characteristics and the alkyl chains of these molecules impart abundant weak intermolecular *** confers the molecules a high crystallinity,which helps to preserve the persistent RTP properties and cover large ***,the RTP lifetime of these organic salts varies over a wide range(1.27 to 884.71 ms)and can be tuned by simply changing the alkyl chain length and counterions,which opens new possibilities in multi-level information encryption *** is believed that the engineering of organic salts with tunable persistent RTP lifetimes and large-area printing can promote early-stage demonstrations of security applications into mature commercialization.

摘要：对矩形溅射靶电磁场进行了仿真分析,优化设计,从而优化溅射靶表面电磁场分布,增大均匀沉膜区域范围,提高靶材利用率。

摘要：针对传统条形磁控溅射靶磁场分布不理想、靶材利用率低、镀膜不均匀等不足,通过优化磁场分布,缩小条形靶端部与中部的磁场差距,增大靶材的刻蚀均匀性,增大有效镀膜区,从而提高靶材利用率和改善镀膜均匀性。本文结合模拟仿真、结构设计与工艺验证的方式,开发出一种镀膜均匀性优于3%、靶材利用率超过30%的条形磁控溅射靶。

摘要：为研究工艺参数对碲镉汞红外器件单层钝化膜工艺影响规律,采用红外器件钝化膜专用磁控溅射系统设备作为实验载体,通过仿真优化指导设计磁控溅射阴极靶,加快实现磁控溅射靶的制备;并采用仿真与实验相结合的方法研究靶基距、靶偏置角度等工艺参数对镀膜均匀性的影响规律,获得较优的一组工艺参数值,为钝化膜工艺形成稳定、均匀性较好的膜层提供理论指导,为进一步研究双层钝化膜层奠定基础。

摘要：介绍了一种多靶磁控溅射镀膜设备,阐述了镀膜室、工件台、阴极溅射靶、辅助离子源、真空系统等关键部件的设计思想。镀膜工艺结果显示,设备满足工艺要求,膜层均匀性优于±3%。

摘要：通过分析InP基激光器和探测器芯片电极金属薄膜工艺需求与特性,采用多靶共焦结构,多梯度真空等设计优化了专用磁控溅射系统,实现晶圆复合膜层沉积,晶圆台面或沟槽图形良好的覆盖性。针对标准100 mm(4英寸)InP基片的生产需求,满足100 mm片剥离工艺的低温溅射成膜要求设计工艺试验。实验结果表明,所沉积的金属薄膜均匀性优于5%,台阶覆盖比大于0.3,满足InP基晶圆薄膜沉积和表面覆盖层制备工艺需求。