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SiC JMOS和SiC DMOS在Si/SiC混合器件单相逆变器中的应用研究
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《中国电机工程学报》2019年 第19期39卷 5674-5682页
作者:李宗鉴 王俊 余佳俊 江希 沈征湖南大学电气与信息工程学院 
Si IGBT与SiC MOSFET并联组成的Si/SiC混合器件(HyS)因在功率变换器中提供了一种成本与性能的优化折衷而受到广泛关注。其中,SiC MOSFET特性直接影响Si/SiC混合器件的性能,对基于不同类型SiCMOSFET的Si/SiC混合器件的特性差异分析极为...
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Si IGBT/SiC MOSFET混合器件及其应用研究
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《电源学报》2020年 第4期18卷 58-70页
作者:李宗鉴 王俊 江希 何志志 彭子舜 余佳俊湖南大学电气与信息工程学院长沙410000 
综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展。Si IGBT/SiC MOSFET混合器件结合了SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性...
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基于XGBoost-PSO的混凝土重力坝体型多目标优化设计
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《河海大学学报(自然科学版)》2023年 第3期51卷 91-98页
作者:佟大威 杨传会 余佳 佳俊 王星天津大学水利工程仿真与安全国家重点实验室天津300350 
为解决重力坝优化设计以截面尺寸作为唯一设计变量,缺乏考虑材料属性对重力坝优化设计影响的问题,综合经济、抗震安全进行重力坝多目标优化设计方法研究,构建了综合经济、抗震安全指标的多因素评价体系;采用ABAQUS软件对重力坝进行有限...
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基于改进SVR算法的灌浆功率阈值预测方法研究
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《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》2021年 第8期54卷 771-780页
作者:王晓玲 薛林丽 佟大威 余佳 祝玉珊 佳俊天津大学水利工程仿真与安全国家重点实验室天津300072 
灌浆过程中将灌浆功率控制于阈值范围之内,有利于保证灌浆安全和质量.目前施工现场多根据有限个原位点的灌浆生产性试验,结合专家经验确定灌浆功率阈值.为实现灌浆功率阈值的科学预测,本研究在三维精细裂隙网络模拟和支持向量回归(SVR)...
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基于施工全过程参数的堆石坝掺砾土心墙压实质量实时评价
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《水利水电技术(中英文)》2021年 第2期52卷 109-118页
作者:崔博 张慧高 佳俊 余佳天津大学水利工程仿真与安全国家重点实验室天津300350 
料源参数和施工参数是影响掺砾土心墙压实质量的重要因素。针对当前研究中料源参数被局限于掺砾土,且施工参数考虑不全面,缺乏掺拌参数,不能客观实时评价仓面压实质量的问题,提出了一种基于双向极限学习机(Bidirectional extreme learni...
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