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一种亚阈值MOS管低功耗基准电压源
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《微电子学》2018年 第5期48卷 574-578页
作者:侯德权 周莉 陈敏 肖璟博 刘云超 陈杰中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 
设计了一种基于亚阈值区MOS管的低功耗基准电压源。利用MOS管差分对的栅源电压差对MOS管的栅源电压进行温度补偿,从而得到基准输出电压。采用0.18μm混合信号CMOS工艺进行设计与仿真。结果表明,该基准电压源的最小工作电压为1.25V,在0℃...
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一种低功耗曲率补偿带隙基准电压源
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《微电子学》2019年 第1期49卷 17-21页
作者:侯德权 周莉 陈敏 肖璟博 张成彬 陈杰中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 
设计了一种低功耗曲率补偿带隙基准电压源。利用亚阈值MOS管差分对,产生曲率补偿电流,对输出基准电压进行曲率补偿。采用低功耗运放来增强基准电压源的电源抑制能力,同时降低基准电压源的功耗。采用SMIC 0.18μm混合信号CMOS工艺进行设...
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对实现工艺上水平目标的探讨
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《防爆电机》2000年 第3期35卷 32-33页
作者:孙佳民 侯德权 赵广利 
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