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双极工艺下一款高共模输入电平迟滞比较器的电路设计
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《电子世界》2011年 第10期 26-27,32页
作者:侯晋昭 余清华 代杰电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 
设计了一种基于双极工艺的迟滞比较器,具有高共模输入电平、低功耗和低成本的优点,通过设计可以方便的调整迟滞电压。迟滞比较器的上门限电压为7.4V,下门限电压为6.9V,迟滞电压为0.5V,功耗约为0.74mW。此外,还对迟滞比较器中两级运算放...
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一种改进的基于BCD工艺的UVLO设计
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《电子世界》2011年 第12期 43-45页
作者:余清华 侯晋昭 代杰电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 
基于CSMC 0.5 BCD工艺,设计了一种改进型无需基准电压源的欠压锁定(UVLO)电路。该欠压锁定电路在传统带隙比较器的基础上,引入高阶温度补偿和正反馈机制,使得该欠压锁定电路结构简单、温漂小、速度快、迟滞效果好、稳定性高。使用cadenc...
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