摘要：为降低泡沫轻质土工程费用、提高其工程应用性,分别采用0%、25%、33%、40%粉质黏土替代水泥制备泡沫轻质土,开展了不同土掺量泡沫轻质土的无侧限抗压强度试验与劈裂抗拉强度试验,评价了不同土掺量泡沫轻质土的干湿循环耐久性.结果表明:泡沫轻质土的强度随土掺量的增加而降低,当土掺量由0%提高至40%时,28 d抗压强度和劈裂抗拉强度的变化范围分别为2.88~1.02 MPa和0.57~0.2 MPa,且两者具有很好的线性关系.随着土掺量增大,泡沫轻质土的抗干湿循环能力不断下降,干湿循环后,40%土掺量的泡沫轻质土软化系数为0.75,强度由1.02 MPa降低至0.78 MPa.基于现有设计规范要求,提出泡沫轻质土作为路床区填料建议土掺量应小于33%,作为路堤区填料建议土掺量为33%~40%.

摘要：本文分别采用纯水泥,40%、50%、60%烧结法赤泥与25%、33%、40%粉质黏土制备泡沫轻质土,开展了无侧限抗压试验、劈裂抗拉试验、回弹模量试验以及软化系数试验。试验发现,泡沫轻质土抗压强度、劈裂抗压强度以及回弹模量均随水泥掺量减小而降低,且三者具有良好的线性关系;由于烧结法赤泥具有一定的胶凝活性,相同替代量下烧结法赤泥泡沫轻质土力学性能和软化系数均明显优于粉质黏土泡沫轻质土;40%~60%烧结法赤泥基泡沫轻质土的28 d抗压强度、劈裂抗压强度以及回弹模量分别为1.2~0.81 MPa、0.24~0.17 MPa和377~258 MPa;25%~40%粉质黏土基泡沫轻质土28 d抗压强度、劈裂抗压强度分别为2.43~1.02 MPa和0.44~0.2 MPa;不同类型泡沫轻质土软化系数均大于0.7。基于现有规范要求,提出以泡沫轻质土作为路床区填料,土替代量不高于33%,赤泥替代量不高于40%,以泡沫轻质土作为路堤区填料,土替代量不高于40%,赤泥替代量不高于50%。

摘要：对适用于DC～30GHz频率的并联接触式RF MEMS开关的设计与制造进行了研究。利用低应力电镀Au桥膜作为上电极,实现了接触电极之间的Au-Au接触。使用BorofloatTM玻璃作为衬底,并用隔离电阻对内置射频信号与驱动电极旁路进行隔离;通过对上电极桥膜与CPW间距的优化设计,使开关具有较低的插入损耗。所设计制造的并联接触式RF MEMS开关的下拉电压为60V,上下电极的接触电阻为0.1Ω。插入损耗为-0.03dB@1GH,-0.13dB@10GHz和-0.19dB@20GHz,在DC～30GHz的插入损耗都-23dB。测试结果表明,所设计的并联接触式RF MEMS开关适用频率为DC～30GHz,是一种应用频率范围较宽的RF MEMS开关。

摘要：介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段（〈10GHz）的问题。其插入损耗为-0.88dB@3GHz,在6GHz以上,插入损耗为-0.5dB;隔离度为-33.5dB@900MHz、-24dB@3GH和-20dB@5GHz,适合于3-5GHz频段的应用。

摘要：设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RFMEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个输出端,4个静电驱动的侧拉桥,以及4个驱动引出区(pad)。测试数据表明,开关驱动电压18.8V;插入损耗S2169.5dB@DC-3GHz,S31>69.2dB@DC-3GHz。结果显示,此开关的隔离度在所有输出端有很好的一致性,插损在DC-3GHz的频段内均较小,非常适合低频使用。