摘要：对影响微波硅功率双极型晶体管脉冲波形顶降、顶升和增益压缩特性的器件设计、工艺和使用因素进行了分析。脉冲顶降的本质原因是结温上升,结温又同芯片特性、内匹配电路与芯片键合一致性密切相关;脉冲顶降还与器件在电路中的工作状态相关。脉冲顶升主要是与肖特基势垒接触和较低的器件工作温度有关;影响增益压缩的主要原因是电流饱和与电压饱和,其次还与基区宽变效应、大注入效应和工作状态等因素相关。从器件设计、工艺和电路应用等方面提出了改进器件脉冲顶降和增益压缩特性的途径。

摘要：本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件下,输出功率P_0≥100W,功率增益G_p≥7dB,集电极效率η_0≥40％,并具有较高的抗激励耐量。在f_0=2.15GHz, τ_p=40μs,D=2％,P_i=25W,V_cc=36V时,P_0≥120W;当V_cc=40V时P_0≥153W。