摘要：设计了一种新型毫米波微带双频平面天线阵,该天线阵单元采用凹槽加载中心馈电结构。这种馈电方式恰好等效为在微带贴片上加载了一个电抗,通过调节馈电线的长度,可以获得两个零点,从而使微带天线实现双频工作。基于这种馈电结构和并联馈电网络,制作了平面4×4双频段天线阵。根据实验和仿真结果的比较,二者拟合较好。实测的双频天线阵工作在32.5 GHz和35.7 GHz,天线阵的增益16.25 dB,辐射效率为82%。

摘要：作为非线性矢量网络分析仪的重要参考测量通道,谐波相位参考能够提供多频点、多波量以及复频率下的绝对相位测量能力。设计了基于共面波导非线性传输线方案的原型谐波相位参考样机,并提出了基于EOS光电采样系统的完整谐波相位参考定标技术,主要包括时基失配、平均去噪、相位对准、连接器失配与示波器复频率响应修正等流程。定标实验结果表明,原型样机能够在1 GHz功率27 d Bm信号激励下输出半峰值脉宽为22 ps的周期脉冲序列,其频带覆盖范围超过67 GHz,并在超高次谐波频点上拥有小于±10°的相位精度与小于±5°的相位可重复性。最后将原型样机装配到非线性矢网中,通过测量2 GHz信号激励下超窄时域脉冲发生器的输出时域信号,并将之与采样示波器测量结果进行比对,结果证实了谐波相位参考设计与定标技术的有效性与正确性。

摘要：基于裂缝谐振环结构的降频技术,首先设计了一种电尺寸较小的左手介质微带线单元,并根据电磁波在微带线上的传输和反射数据,分别计算了左手介质的有效介电常数和有效磁导率.之后针对左手介质八元阵列进行三维电磁仿真实验,结果表明该八元阵列在左手介质频段上具有独特的后向波效应,从而证实了该左手介质频段的存在.与传统的左手介质微带单元相比,阐述的左手介质单元的电尺寸减小了60%,而且结构简单,便于加工,适用于平面电路器件的小型化等应用研究工作.

摘要：通过对异向介质激发机理的深入分析,最终设计出了一种结构新颖的小单元、宽频带异向介质。其绝对带宽达到2.6GHz,远远优于传统异向介质。文中对这种异向介质的后向波特性和负折射特性进行了数值仿真,结果表明,在异向介质工作频段内观测到明显的后向波效应和负折射效应,从而使该异向介质的存在性得到有力证明。本研究成果为基于异向介质的新型微波、毫米波器件在空间通信技术中的应用奠定了坚实的基础。

摘要：目前 ,国外各种商业化的微波EDA软件工具不断涌现 ,功能强大 ,主要应用领域相当广泛 ,特别是在移动通信、无线设计、信号完整性和电磁兼容 (EMC)等方面显得更加突出。本文针对现行的诸多商业化微波EDA软件进行了分类、对比 。

摘要：本文首先观察在电磁波斜入射情况下变容二极管可调谐频率选择表面的传输特性变化;接着采用等效电路方法分别分析频选传输特性变化原因及带宽补偿层的实现原理;最后将带宽补偿层添加在频率选择表面两侧,用于改善周期结构的斜入射传输特性。利用该方法设计的频率选择单元在TE和TM波0~60°的范围内,可以实现透波窗口传输极点频率9~18GHz的可调谐,且传输极点f0处透波率大于50%,添加带宽补偿层后不同电容状态下传输极点的插入损耗可以减小0.3~1.4dB。

摘要：随着大功率射频微波器件的不断推广与应用,以及无线通信市场的迅猛发展,传统的小信号S参数线性系统理论既无法继续支持对大功率、高效率、复频谱利用率和超宽带等众多射频电子产品高效快速的研发,也不能满足无线系统前端——射频功率放大器、混频器、调制解调器和振荡器等部件的精确表征、建模、仿真、设计和应用的迫切要求,正是在这种大背景下,基于矢量测量的射频/微波器件非线性参数化行为建模技术也就应运而生。本文首先阐述非线性器件表征技术的发展背景与迫切性;然后介绍了该领域内逐渐成熟的两种矢量测量方案与核心技术的原理,并分析比较了两种方案的性能优劣;最后重点对三种非线性参数化行为模型的数学形式作了详细推演,介绍了参数提取方法和应用实例,展望了基于矢量测量的非线性行为建模技术的未来发展研究方向。

摘要：针对毫米波段微带天线频带窄,馈电对天线辐射影响严重等缺点,提出了一种新型天线单元结构。该单元采用H型槽耦合馈电和增加寄生贴片的方法,实现了天线带宽的增加。此方法可使得带宽达到11%(VSWR<2)。通过采用多层寄生贴片对单元进一步改进研究,验证了该单元具有进一步展宽带宽和作为天线罩保护天线的作用,天线的带宽可达到22%。

摘要：以毫米波段MEMS移相器为研究对象，提出一种直接面向设计参数的建模方法。该方法直接选取分布式RFMEMS移相器的关键设计参数作为建模目标，通过HFSS仿真获得人工神经网络建模的样本数据，并使用三种神经网络对移相器的S参数及设计参数进行建模。实验结果表明，与HFSS仿真数据相比，面向设计参数直接建模的方法对于移相器中心频率f0、10dB带宽B和插入损耗最小值（33-37GHz）建模误差绝对值均值分别在0．094～0．171GHz、0．085-0．159GHz和0．040-0．048dB之间。相比于基于S参数间接建模方法的准确率均至少提高了50％。

摘要：We propose a dual band CMOS power amplifier for mobile WiMAX systems. The power amplifier,combined with an active matching transformer,is fully integrated and fabricated in a 0.13μm CMOS process. The transformer operates at dual bands with active matching circuit. The measured result shows that the transformer efficiency of 78.2% and 70.4% at 2.5 and 3.5GHz are realized,respectively,and 26.5 and 24. 8dB gain are achieved. The PAE reaches 20% and 28% at 2.5 and 3.5GHz, respectively. The third inter-modulation （IM3） is lower than - 30dBc at the 25dBm average power.