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金属-聚硅烷-硅结构的电容-电压特性
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《物理化学学报》2003年 第2期19卷 97-99页
作者:彭志坚 司文捷 谢茂浓 傅鹤鉴 苗赫濯清华大学材料科学与工程系 四川大学物理系 四川大学化学系成都610064 
设计了metal-polysilane-silicon(MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V特性与聚硅烷枝化度一致,即随着聚硅烷枝化度提高,MPS结构C-V曲线明显向电压轴正向漂移.聚硅烷MPS结构有望...
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高分子量的枝状聚硅烷的合成与表征
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《高分子学报》2002年 第3期12卷 301-308页
作者:彭志坚 司文捷 傅鹤鉴 曾红梅 苗赫濯清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室北京100084 四川大学化学系成都610064 
根据硅氢加成反应机理设计了“顺点滴式”工艺 ,高效、低耗地合成了甲基苯乙基二氯硅烷和甲基正己基二氯硅烷 .根据Wurtz还原偶联反应原理 ,采用“预聚”和“混聚”两种工艺分别合成枝状共聚硅烷 ,发现运用“预聚”工艺可以合成分子量...
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